(KMG)-- Zajednički tim kineskih i američkih naučnika stvorio je održiv poluprovodnik sa prekidačem za uključivanje i isključivanje napravljen od grafena, ugljeničnog materijala koji je daleko superiorniji od silicijuma u smislu njegovog elektronskog potencijala.
Grafen, dvodimenzionalni materijal sastavljen od samo jednog sloja atoma ugljenika, trenutno se smatra elektronskim materijalom koji najviše obećava u ovoj oblasti.
Međutim, struktura grafena sa nultim razmakom koja rezultira da struja bude bez razlike u energiji kada elektroni u poluprovodnicima skaču između zona niske i visoke energije je prethodno sprečavala da se koristi za predstavljanje 1 i 0 u elektronskim računarskim sistemima.
Istraživači sa Univerziteta Tianđin i Tehnološkog instituta u Džordžiji uspešno su uspeli da otvore razmak tako što su proizveli grafen na podlogama od monokristalnog silicijum karbida (SiC) sa razmakom od 0,6 eV.
Pored toga, pokretljivost grafena na sobnoj temperaturi koju su razvila dva istraživačka tima je 10 puta veća od one kod silicijuma, prema studiji objavljenoj nedavno u časopisu Priroda.
Stoga je hemijski, mehanički i termički robustan i može se sintetizovati konvencionalnim tehnikama proizvodnje poluprovodnika, rekli su istraživači.
Murov zakon, koji navodi da se računarska snaga udvostručuje svake dve godine, u poslednje vreme je doveden u pitanje usporavanjem. Ovaj sporiji tempo nastaje zbog ekstremnih poteškoća u pokušaju da se smanji veličina čipova na bazi silicijuma na manje od dva nanometra.
Dvodimenzionalni grafenski poluprovodnik mogao bi da otvori novi put za elektronske uređaje visokih performansi izvan tradicionalne tehnologije zasnovane na silicijumu, najavljujući fundamentalnu promenu u elektronici, rekao je Ma Lei, dopisni autor rada sa Univerziteta Tianđin.
Pripremio: Stevan Bulat